CAB530M12BM3

Active - 1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE
Deskripsi:
1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE
CAB530M12BM3 Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Fitur FET
Silicon Carbide (SiC)
Tegangan Pembuangan ke Sumber (Vdss)
1200V (1.2kV)
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25℃
530A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.55mOhm @ 530A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.6V @ 140mA
Pengisian Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1362nC @ 4V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
39600pF @ 800V
Suhu Pengoperasian
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Jenis Pemasangan
Chassis Mount
Paket Perangkat Pemasok
Module
CAB530M12BM3 Inventaris: 12060
5.0 / 5.0

2019-09-24 09:48
pengiriman cepat. kualitas yang baik. Saya merekomendasikan kepada semua orang

2019-08-12 12:06
Transistor IGBT tidak terdeteksi SA untuk testerach di samping plus t7-h, dalam tes untuk przelaczanie dengan-12V untuk E plus zarowka bertenaga 12V untuk C dipicu jari dengan Plus, zalancza dengan-wylancza. Sangat cepat wysylka, pengiriman cepat, produk jakosci yang baik, sangat kami

2019-11-08 05:43
Halo pesanan saya tiba semua OK OK OK tiba semua OK OK OK vededor yang hebat dan aplikasi yang saya rekomendasikan semua OK OK OK

2019-06-10 14:16
Penjual hebat
Dikemas dengan baik dan terpisah
Merekomendasikan

2019-08-15 02:13
Semua seperti dalam deskripsi. Pengiriman ke Lituania 23 hari