CAB006M12GM3
Active - 1200V 2B HALF-BRIDGE
Deskripsi:
1200V 2B HALF-BRIDGE
CAB006M12GM3 Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Tipe FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Fitur FET
Silicon Carbide (SiC)
Tegangan Pembuangan ke Sumber (Vdss)
1200V (1.2kV)
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25℃
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3.6V @ 69mA
Pengisian Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
708nC @ 15V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
20400pF @ 800V
Suhu Pengoperasian
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Jenis Pemasangan
Chassis Mount
Paket Perangkat Pemasok
-
CAB006M12GM3 Inventaris: 19280
5.0 / 5.0
2019-08-12 12:06
Transistor IGBT tidak terdeteksi SA untuk testerach di samping plus t7-h, dalam tes untuk przelaczanie dengan-12V untuk E plus zarowka bertenaga 12V untuk C dipicu jari dengan Plus, zalancza dengan-wylancza. Sangat cepat wysylka, pengiriman cepat, produk jakosci yang baik, sangat kami
2019-11-08 05:43
Halo pesanan saya tiba semua OK OK OK tiba semua OK OK OK vededor yang hebat dan aplikasi yang saya rekomendasikan semua OK OK OK
2019-06-10 14:16
Penjual hebat
Dikemas dengan baik dan terpisah
Merekomendasikan
2019-08-15 02:13
Semua seperti dalam deskripsi. Pengiriman ke Lituania 23 hari
2019-09-06 09:58
Terima kasih yang sebesar-besarnya!
Poland
