HS1BL M2G
Active - DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Deskripsi:
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
HS1BL M2G Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks)
100 V
Arus - Rata-rata Penyearah (Io)
1A
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If
950 mV @ 1 A
Kecepatan
Fast Recovery = 200mA (Io)
Waktu Pemulihan Terbalik (trr)
50 ns
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr
5 μA @ 100 V
Kapasitansi @ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
Sub SMA
Suhu Pengoperasian - Persimpangan
-55 ℃ ~ 150 ℃
HS1BL M2G Inventaris: 4660
5.0 / 5.0
2019-09-24 09:48
pengiriman cepat. kualitas yang baik. Saya merekomendasikan kepada semua orang
2019-08-12 12:06
Transistor IGBT tidak terdeteksi SA untuk testerach di samping plus t7-h, dalam tes untuk przelaczanie dengan-12V untuk E plus zarowka bertenaga 12V untuk C dipicu jari dengan Plus, zalancza dengan-wylancza. Sangat cepat wysylka, pengiriman cepat, produk jakosci yang baik, sangat kami
2019-11-08 05:43
Halo pesanan saya tiba semua OK OK OK tiba semua OK OK OK vededor yang hebat dan aplikasi yang saya rekomendasikan semua OK OK OK
2019-06-10 14:16
Penjual hebat
Dikemas dengan baik dan terpisah
Merekomendasikan
2019-08-15 02:13
Semua seperti dalam deskripsi. Pengiriman ke Lituania 23 hari
Poland
