1N5811US
Active - DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
Deskripsi:
DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
1N5811US Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Tegangan - DC Terbalik (Vr) (Maks)
150 V
Arus - Rata-rata Penyearah (Io)
3A
Tegangan - Maju (Vf) (Maks) @ If
875 mV @ 4 A
Kecepatan
Fast Recovery = 200mA (Io)
Waktu Pemulihan Terbalik (trr)
30 ns
Arus - Kebocoran Terbalik @ Vr
5 μA @ 50 V
Kapasitansi @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket Perangkat Pemasok
B, SQ-MELF
Suhu Pengoperasian - Persimpangan
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5811US Inventaris: 34780
5.0 / 5.0
2019-07-18 13:35
Menerima perangkat Winbond W25Q128JVSQ.
Ini adalah:
- Winbond
- SpiFlash Serial Flash Memory dengan sektor 4KB, Dual/Quad I/O
- 128M-bit
- 2.7V hingga 3.6V tegangan suplai
- 8-pin SOIC 208-mil
- ... Kompatibel dengan keluarga FV
Perfect
2019-09-02 07:50
ROM yang dapat diprogram untuk biosis motherboard. 5 di antaranya akan sangat berguna di masa depan. Pengiriman cepat. Direkomendasikan
2019-08-25 14:54
Produk unggulan. Hanya pengujian, tapi saya yakin itu
2019-07-25 13:58
Semua baik-baik saja, terima kasih.
2019-11-10 15:59
Saya membeli 4 lot. Semua 40 MOSFET berfungsi dengan baik. Saya merekomendasikan penjual dan produknya.
Netherlands
