EPC2012C
Active - GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Deskripsi:
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC2012C Spesifikasi
Atribut Produk
Nilai Atribut
Teknologi
GaNFET (Gallium Nitride)
Tegangan Pembuangan ke Sumber (Vdss)
200 V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25℃
5A (Ta)
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
5V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Pengisian Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
1.3 nC @ 5 V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
140 pF @ 100 V
Suhu Pengoperasian
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Jenis Pemasangan
Surface Mount
Perangkat Pemasok Paket
Die
EPC2012C Inventaris: 41900
5.0 / 5.0
2019-11-08 05:43
Halo pesanan saya tiba semua OK OK OK tiba semua OK OK OK vededor yang hebat dan aplikasi yang saya rekomendasikan semua OK OK OK
2019-06-10 14:16
Penjual hebat
Dikemas dengan baik dan terpisah
Merekomendasikan
2019-08-15 02:13
Semua seperti dalam deskripsi. Pengiriman ke Lituania 23 hari
2019-09-06 09:58
Terima kasih yang sebesar-besarnya!
2019-07-18 13:35
Menerima perangkat Winbond W25Q128JVSQ.
Ini adalah:
- Winbond
- SpiFlash Serial Flash Memory dengan sektor 4KB, Dual/Quad I/O
- 128M-bit
- 2.7V hingga 3.6V tegangan suplai
- 8-pin SOIC 208-mil
- ... Kompatibel dengan keluarga FV
Perfect
Brazil
